TGQ係列智能型軟起動裝置是集大功率半導體製造技術、電力電子技術、計算機技術相結合的產物，源於ABB直流輸電高壓晶閘管串聯應用技術及光纖間接觸發技術的設計理念，以晶閘管作為主電路部件，具有技術##，工作##、結構模塊化，免維護的優點， 填補了國內高壓晶閘管方式軟起動的空白，產品遍及全國各地，遠銷海外十幾個##和地區，深受用戶高度肯定和一致好評，是眾多國內、外客戶##供應商和合作夥伴。

      TGQ係列軟起動產品覆蓋電壓有0.38kV、0.66kV、1.14kV、2.3kV、3.3kV、4.16kV、6kV、10kV，功率從5kW～64000kW

產品特點

      基於全光纖鏈路的信號通訊係統及完善的檢測保護——晶閘管觸發電路是係統穩定##的關鍵部分，必須具有抗噪聲幹擾的能力，可以工作在惡劣的工作在環境中，不受現場安裝時線路阻抗、短路容量、或開關的快速通斷而產生影響。TGQ係列高壓軟起動裝置中，處於低電位的控製係統與處於高電位的觸發係統的檢測和通信，全部通過光纖鏈路完成。在裝置工作過程中實時檢測光纖通路的##性、檢測觸發係統的狀態和接收高壓晶閘管的好壞狀態信號，任一元件出現故障軟起動裝置都能及時##的顯示出故障元

件的位置並執行保護動作。

      晶閘管強觸發係統——對於高壓晶閘管閥，其開通的快慢主要取決於觸發電流的上升率及觸發電流的大小。對於串、並聯應用的晶閘管閥組，對元件開通的一致性要求尤其苛刻，如不然就會出現串聯閥組中若幹導通慢的晶閘管閥組承受過電壓或過電流而損壞。TGQ1型軟起動裝置觸發電路技術是來源於瑞士ABB公司高壓晶閘管閥的觸發和保護技術，通過超低阻抗電流源電路來完成串、並聯晶閘管的觸發，從而克服脈衝變壓器器等電磁式觸發係統固有的觸發電流上升率及分散度由於繞組電感受限的缺點，##了晶閘管閥組串、並聯應用的##性。

      元件正向過電壓保護功能（BOD保護）——晶閘管在工作過程中由於某種原因沒有被正常觸發，從而要承受正向過電壓，在過電壓升高達到晶閘管轉折電壓之前正向過電壓保護器件（或電路）動作，強迫觸發晶閘管，達到保護晶閘管的目的。如10KV裝置中使用的6500V晶閘管元件，在實際使用過程中隻要元件承受的正向電壓超過某一異常的門檻值，裝置的正向過電壓保護電路就將強迫觸發晶閘管，達到保護晶閘管的目的。變流技術##工程研究中心的高壓軟起動裝置使用的正向過電壓保護正是“葛洲壩——上海HVDCT工程中使用的技術。

      後備觸發係統——為了##觸發係統的##，猫咪APP首页社区對觸發係統采用了“熱冗餘設計”，即在正常觸發係統的基礎上增加了後備觸發係統，通過觸發邏輯單元判斷是否需要投入後備觸發係統。

      合理的阻容吸收回路——變流技術##工程研究中心的高壓軟起動裝置中並聯在元件兩端的阻容吸收回路其參數的選擇均是源於瑞士ABB公司實際應用中的結論，為晶閘管元件提供了##的動態均壓及瞬時過電壓保護。

      基於CPLD的並行觸發、保護係統——任何單片微機及數字信號處理器都采用的是順序邏輯，也就是說其處理任務是按指令的先後逐條執行的，因此單純的依靠此類處理器構成的控製係統是不適用於串、並聯應用的晶閘管閥組，其原因是串、並聯應用要求對觸發信號以及相關的檢測回報、保護信號進行並行處理，CPLD——複雜可編程邏輯器件正好滿足上述要求。TGQ係列高壓軟起動控製係統通過ALTERA公司EPM係列高端CPLD完成對晶閘管元件的觸發信號、檢測信號及保護信號的並行處理，並行處理時間差小於10ns，可##滿足要求。

      國內變流領域好的開發、生產、試驗條件——變流技術##工程研究中心是國內工業變流領域##的##工程研究中心，具備國內好的開發、生產、試驗條件，擁有業內大的EMC試驗室，ABB複合試驗台及牽引試驗台，TGQ係列軟起動裝置從開發到形成係列化產品，每##改進和試驗都是在這些國內##的試驗條件下完成，因此鑄就了國內好的高壓軟起動係列產品。

      高壓晶閘管組熱備用（可選）功能，很大的提高設備##性——標準10KV（6KV）高壓軟啟動裝置每相5組（3組）晶閘管串聯，可選擇冗餘功能，該技術同樣源於ABB直流輸電高壓閥組設計理念，既每相在標準組件基礎上增加一組冗餘組件，使整個裝置具有如備用功能，從而大大改善裝置的##性，為客戶的生產提高高##性和高易用性。